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设计中，根据IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手册中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲线及相关参数，利用saber提供的Model Architect菜单下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，图5-1所示MOSFET DC Characteristics设置，图5-2所示MOSFET Capacitance Characteristics设置，Body Diode 参数采用默认设置。
首先验证Rg、Vgs、Vds关系，仿真电路如图
这里电路中加入了一定的电感Lg，仿真电路寄生电感，取值是0.05uH，有没有什么依据?我当时是想导线计算电感的时候好像是要加上0.05u，就放了个0.05u。
仿真过程是，Rg分别取1欧姆，到10欧姆，到100欧姆。验证Rg取值对驱动波形Vgs和开关导通特性Vds影响。结果如下图：
可以看出，不同Rg阻值对MOSFET IXFN50N80Q2 的影响。设计中，取Rg=10，取Rg=1，担心过冲击穿Vgs，取100，上升沿速度太慢，不满足高速应用。
下边讨论MOSFET串联问题。仿真电路如图：仿真电路中两路驱动，只有Rg参数不一致，其他均一致。
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