×
当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通过专注于强化元器件产品达到系统创新，来应对这一挑战。继2月份推出25 V装置后，英飞凌又推出了OptiMOS™40 V低电压功率MOSFET，采用源极底置(SD, Source-Down) PQFN封装，尺寸为3.3mm x 3.3 mm。这款40 V SD MOSFET适用于服务器的SMPS、电信和OR-ing，还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。
OptiMOS SD 40 V低电压功率MOSFET提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。采用源极底置(SD) PQFN封装的装置尺寸为3.3mm x 3.3 mm，可使RDS(on)大大降低25%，接面与外壳间的热阻RDS(on)亦获得大幅改善。
SD封装的内部采用上下倒置的芯片。如此一来，让源极电位(而非汲极电位)能通过导热片连接至PCB。与现有技术相比，此版本最终可使RDS(on)大大降低25%。相较于传统的PQFN封装，接面与外壳间的热阻(RthJC)亦获得大幅改善。SD OptiMOS可承受高达194 A的高连续电流。此外，经过优化的配置可能性和更有效的PCB利用，可实现更高的设计灵活性和出色的性能。
『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』
热门文章
更多
Recogni:将高端AI芯片推向自动驾驶边缘
APP下载
登录
