/ 美通社 / -- 三星电子平泽工厂第二生产线正式开工，首发量产产品是采用了 EUV（Extreme Ultraviolet，极紫外光刻）制程的 16Gb（吉字节）LPDDR5 移动 DRAM，开创业界先河。

 

三星电子 16GB LPDDR5

 

三星电子平泽工厂第二生产线的建筑面积达 12.89 万平方米（相当于 16 个足球场），是全球最大规模的半导体生产线。

 

平泽工厂第二生产线首先实现 DRAM 量产，下一步计划生产新一代 VNAND、超精细晶圆代工产品等，是一条技术尖端的综合生产线，将确保三星电子在第四次工业革命时代稳居半导体领域的核心地位。

 

平泽工厂第二生产线本次投放的 16Gb LPDDR5 移动 DRAM 达到最大容量和最高速度，是第三代的 10 纳米（1z）LPDDR5 产品，性能超过以往任何一个产品。

 

三星今年 2 月推出了第二代 10 纳米级（1y）制程，实现了 16Gb（吉字节）LPDDR5 DRAM 的量产，短短六个月后勇攀高峰，再次升级生产线，生产出新一代 1z 制程的高新移动 DRAM。

 

新产品较原有旗舰智能手机使用的 12Gb 移动 DRAM（LPDDR5，速率 5500Mb/s）提速 16%，达到 6400Mb/s。以 16Gb 产品为准，每秒可处理 51.2Gb（吉字节）的数据，相当于 10 部全高清（Full HD）电影。

 

※ 速率：64 帧（x64，JEDEC 标准）封装为标准最高可达 51.2Gb/s

 

16Gb LPDDR5 移动 DRAM 可以仅由 8 个芯片构成 16Gb 的产品，较先前产品（8 个 12Gb 芯片+4 个 8Gb 芯片）在封装厚度上减少 30%。从而为多摄像头、5G 等零部件较多的智能手机，以及折叠屏手机等对厚度有较高要求的产品提供最佳解决方案。

 

三星作为向全球智能手机企业提供新一代 1z16GB 移动 DRAM 的生产商，计划抢占明年兼具 5G 通信和 AI 功能的旗舰智能手机新市场。同时三星电子计划提供耐高温性能的产品，有望将供货范围进一步扩大到汽车电装用途。

 

三星电子存储器事业部 DRAM 开发室副总裁李祯培表示，这次推出的 1z 纳米 16Gb LPDDR5 产品克服了史上最难攻克的技术性难关，创造了产品的新典范，突破精细制程的最高界限，未来三星电子的高新 DRAM 生产线将继续升级，更迅速地应对顾客需求，为扩大存储器市场贡献一份力量。