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总结：
一：从差模保护角度来看，新方案比老方案残压稍高0.6V左右。这个是因为差模二级保护的TVS管动作电压不同引起的（新方案差模二级保护TVS管动作电压比老方案多了一个二极管正向压降电压即高了0.5V）。虽然高了0.6V左右但对后端护芯片没影响。
二：从共模角度来看，新方案比老方案保护更好。正向电压浪涌下，新方案共模回路比老方案共模回路多了个5欧电阻，因此新方案残压比老方案略低。负向电压浪涌下，老方案主要靠GDT,TVS进行泄放箝位，箝位之后残压依然冲击后端芯片，而新方案主要靠GDT进行泄放，GDT泄放后的残压不能通过IN4007到后端即不能冲击芯片，因次，新方案共模对后端的芯片保护更彻底保护效果更好。
三：新方案因地线接有二极管IN4007，故能有效防止低于1000V以下的地电位反击对后端芯片的冲击。而老方案则只能靠TVS管进行“硬抗”箝位，对后端芯片还是能造成一定的冲击。新方案中若认为有可能出现1000V以上的地电位反击，则可以更换反向击穿电压更高的二极管，但根据经验接地效果良好的情况下出现1000V以上的地电位反击几乎不会出现。
四：从空间上来看，新方案比老方案要求的体积空间稍大。
五：从成本来看，新RS485方案比老RS485方案少用一个TVS管，多用一个二极管，一个电阻，新方案的成本较低。新RS485方案可以以保留“骨架”更换型号变成另一种应用的保护方案的方式进行拓展拓广。这时，有可能成本节省更多。
综上，保护效果几乎相同，成本更低，只是占用空间稍大点的新RS485方案还是值得推广的。
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