“半导体奥运会”的主角将重返赛场。在2014年2月9～13日于美国举办的“InternationalSolid-StateCircuitsConference（ISSCC）2014”上，世界最大的半导体企业美国英特尔公司将沉寂两年后再次发表论文，介绍已于2013年中期投放市场的22nm工艺微处理器“Haswell（开发代码）”等8项成果（表1）。

 ISSCCFarEastRegionalSubcommittee的成员

    除了数字领域，英特尔在储存器、通信、模拟、摄像元件等领域也收获颇丰。小于20nm的微细化技术、着眼于后微细化时代的三维化技术、省电力技术等最新成果也源源不断。

英特尔将命运托付给工艺技术

    面对领先的英特尔，台积电（TaiwanSemiconductorManufacturing）和三星电子则发起了追击。

    ISSCC2014的看点之一是上述“三巨头”的SoC（systemonachip）微细化之争。英特尔在本次会议上将详细介绍集成处理器和稳压器、采用新电源的Haswell省电力技术。到会议举办之时，14nm工艺处理器“Broadwell”（开发代码）也有望投入量产。

    在2013年11月下旬的业务说明会上，英特尔首席执行官布莱恩·科再奇（BrianKrzanich）宣布将全力开展代工业务。在移动产品SoC陷入苦战的局面下，凭借行业最尖端的制造技术与对手一决胜负。

    世界第一大代工企业台积电将发表在2013年底启动少量生产的16nm工艺技术。因为是该公司第一代采用立体晶体管（FinFET）的技术，代表制造技术成熟度的SRAM的完成情况估计会引发关注。该公司预计将在2014年上半年，为美国苹果等客户建立起20nm工艺技术体系。16nm工艺也将于2014年内投入量产。

    三星将发表单元面积达到业内最小的14nm工艺SRAM。直到28nm工艺，三星一直垄断着苹果公司SoC的代工业务。在堡垒即将被20nm工艺攻陷的今天，14nm将成为该公司力挽狂澜的宝剑。

    宣布正式开展代工业务的英特尔将从何时开始为苹果等大公司代工生产SoC？这一点估计将吸引业内人士的目光。

NAND揭开三维化大幕

    SoC微细化竞争趋于白热化，而在NAND闪存领域，一篇预示微细化终结的论文即将发表。那就是三星关于三维NAND闪存的论文。这种闪存叠加24层内存单元，实现了现行NAND闪存的最大容量——128Gbit。此次发表16nm工艺NAND闪存的美国美光科技与韩国SK海力士也计划在这一代向三维过渡。

    探索半导体新应用途径的论文也有望成为关注的焦点。尤其引人注目的是医疗芯片（表2）。这种芯片的作用是嵌入人体内，监控健康状态，按照需要刺激体内组织遏制发病。这种可作用于人体的半导体芯片也将在会议上亮相。