电装开发出超200A级SiC晶体管，仅8mm见方-EDA365

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电装开发出超200A级SiC晶体管，仅8mm见方

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电装开发出了SiC晶体管新产品，以8mm见方的芯片尺寸实现了超过200A水平的电流容量。该公司在“人与车科技展2015”(5月20～22日于太平洋横滨国际会展中心举行)上，展出了集成该晶体管的直径6英寸（150mm）的晶圆。该晶体管的耐压为1200V，导通电阻值为3.5mΩcm2，目标是取代车载用Si-IGBT。

超过200A级别的Si-IGBT的芯片面积一般要超过10mm见方。电装称，新开发的这款SiC晶体管的目标是凭借芯片尺寸赢得优势。该产品通过采用沟道型MOSFET，实现了低导通电阻（参阅本站报道）。利用的SiC晶圆是电装自己生产的，晶体缺陷减少到了其他公司晶圆的1/10。电装表示，在SiC功率半导体方面，“关键技术的开发将在2015年度完成，然后过渡至产品开发阶段”。

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