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随着全球经济可望在2010年复苏，明年各种NANDFlash的终端应用产品的出货量也将转为成长；研究机构集邦科技(DRAMeXchange)表示，未来手机、SSD、记忆卡将内建更高容量NANDFlash，预估2010年全球NANDFlash将出现缺货，需求的位产出将比今年增长81%，达到10，986MGB。
集邦科技预期，明年MP3记忆卡及UFD等的NANDFlash的传统应用产品的内建容量也将会持续提高，新的应用领域也将为NANDFlash市场带来新的成长动力，例如智能手机的出货量将持续成长，且将搭配更高的NANDFlash内建容量，而供货商也将更积极的推广SSD在各种计算机相关的应用领域。
就NANDFlash供给面而言，集邦科技表示，目前多数NANDFlash供货商多处在由亏转盈的阶段，许多供货商将以2010年市场需求的成长率，来做为明年产出成长目标参考，以使NANDFlash市场能维持在较平衡的状态，供货商目前对明年的扩产计划仍多倾向保守的态度，预期2010年NANDFlash晶圆总产出量将仅比2009年微幅增加，估计明年的资本支出仍将以制程技术升级为主。
由于多数供货商于今年第四季才逐渐增加3xnm制程技术产量，集邦科技预期，这些供货商量产2xnm制程技术的时程将落在明年下半年，另外供货商也是自第四季才正式量产3-bit/cellMLC的产品，估计在经过一段推广期及产品技术改良后，出货比重才可望在明年下半年明显提高，集邦科技估计，2010年全球NANDFlash供给的位产出，将比今年成长79%，达到10，759MGB。
就供需缺口的状况而言，集邦科技表示，2010年由于供货商节制产出成长，及终端应用需求回温，预估明年的NANDFlash全年供需缺口可望由今年较平衡的状况，转为偏紧，约2%的供需缺口，但季节性因素仍会影响季度的供需缺口，预期明年上半年NANDFlash市场因淡季因素，由今年下半年的供给偏紧转为的小幅供过于求，但明年下半年可望因为旺季效应，转为供给吃紧的状况，集邦科技预期，未来价格的波动性将会趋缓，而以反应制程技术提升的成本下降效益为主。
全球NAND市场季缺口预测
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