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直接发光绿色氮化铟镓(InGaN)激光试验成功

发布时间：2021-06-03

欧司朗光电半导体成功研发直接发光绿色氮化铟镓(InGaN) 激光.标志着实验室研究取得重大突破.该款激光的光输出高达 50 mW.发射波长为 515 nm 的真绿光线.与目前采用倍频技术的半导体激光相比.直接发光绿色激光器 ...<全部>

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Vishay 推出采用超亮InGan技术的新款 LED

发布时间：2020-07-08

日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出一款新型白光.无散射的3mm LED --- VLHW4100.该LED针对高端应用进行了优化.可满足应用对极高发光强度的要求.VLHW4100使用超亮InGaN技术.在 ...<全部>

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发布时间：2020-06-22

LED是一种绿色照明光源.其主要优点是发光效率高.随着材料科学的进展.在未来十几年其发光效率会有更大幅度的提高,且能量消耗低.寿命长.材料可回收.不会污染环境. 基于LED照明的以上优点.欧美.日本和韩国 ...<全部>

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韩最新开发技术:青色LED发光效率增加30%

发布时间：2020-06-19

日前.韩国教育科学技术部表示.由韩国国内研究组将第二代照明光源的InGaN 青色LED的发光效率最高增加了30%以上的源泉技术开发成功. 此次开发的技术与原有的LED相比.不会低减电器的特征.依靠锌氧粉纳米杆的光 ...<全部>

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首尔半导体公布对InGaN系LED专利的立场

发布时间：2020-06-18

首尔半导体日前宣布.美国得克萨斯法院经审议决定.活性层使用 InGaN 的 LED 在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利.InGaN 是组成白.蓝.绿色和紫外光 LED 活跃层的必要物质.作为上述美国得克萨斯法院审判对象 ...<全部>

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高效InGaN基LED

发布时间：2020-06-10

尽管氮化镓基III-V族半导体有一些严重缺陷.如高位错密度和强极化效应.但其已成为一个充满希望的光源材料.最近.GaN基发光二极管(LED)正在迅速扩大应用领域.特别是需要超高亮度的领域.如大尺寸屏幕的背光单元 ...<全部>

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发布时间：2024-12-23

LED是一种绿色照明光源.其主要优点是发光效率高.随着材料科学的进展.在未来十几年其发光效率会有更大幅度的提高,且能量消耗低.寿命长.材料可回收.不会污染环境. ...<全部>

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首尔半导体公布其对InGaN系LED专利的立场

发布时间：2024-12-23

新闻事件:首尔半导体公布其对InGaN系LED专利的立场事件影响:美国专利 5,075,742(以下简称[742专利")包含了在日本.德国.英国.法国的专利家族对于侵犯专利的企业.首尔半导体有权使其停止销售.使用并对给首尔 ...<全部>

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一颗引发行业变革的红外芯片

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