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ST主导的LAST POWER项目:确立SiC二极管和GaN HEMT量产技术

 发布时间：2020-06-06
由意法半导体(ST)担任协调者的欧洲SiC/GaN功率半导体开发项目[LAST POWER(Large Area silicon-carbide Substrates and heTeroepitaxial GaN for POWER device applications)"公布了自2010年4月启动以来3年内取得 ...<全部>
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