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MMBF0201NLT1G的技术参数

 发布时间：2021-08-04
产品型号:MMBF0201NLT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1.400最大漏极电流Id(on)(A):0.300通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT-223/-55~150描述:0.3A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET价格/1片(套): ...<全部>
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