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MMBZ12VALT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-09
产品型号:MMBZ12VALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共阳封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150价格/1片(套):￥.40 ...<全部>
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