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MMSF3P02HDR2G的技术参数

 发布时间：2021-08-04
产品型号:MMSF3P02HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):95最大漏极电流Id(on)(A):5.600通道极性:P沟道封装/温度(℃):SO-8/-55~150描述:3A,20V,SO-8,P沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥6.00 ...<全部>
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