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MMSZ3V3T1G的技术参数

 发布时间：2021-07-12
产品型号:MMSZ3V3T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.140齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.470@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):95最大功率PMax(W):0.500芯片标识:T4封装/温度(℃):SOD123/-55~150价格/1片 ...<全部>
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