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MTB30P06VT4G的技术参数

 发布时间：2021-08-04
产品型号:MTB30P06VT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):67最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:P沟道封装/温度(℃):3D2PAK/-65~175描述:30A,60V,D2PAK,P沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥11.80 ...<全部>
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