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NID9N05CL的技术参数

 发布时间：2021-07-29
产品型号:NID9N05CL源漏极间雪崩电压VBR(V):55源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):181最大漏极电流Id(on)(A):-通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~175描述:自保护离散式,55V门限,ESD保护MOSFET价格/1片(套):￥2.80 ...<全部>
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