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NIMD6302R2的技术参数

 发布时间：2021-07-29
产品型号:NIMD6302R2源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50最大漏极电流Id(on)(A):-通道极性:N沟道封装/温度(℃):SO8/-55~175描述:双N沟道MOSFET价格/1片(套):￥21.00 ...<全部>
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