NTA4151PT1G-EDA365

研发资源 > 标签 > NTA4151PT1G

|相关技术

NTA4151PT1G的技术参数

发布时间：2021-07-29

产品型号:NTA4151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360最大漏极电流Id(on)(A):0.760通道极性:P沟道封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150描述:小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护价 ...<全部>

技术百科

|

58

上一个下一个

相约10月，首届湾芯展“十大看点”抢先看！

相约10月，首届湾芯展“十大看点”抢先看！

|相关标签

技术参数

|热门文章

NTA4151PT1G的技术参数