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NTB30N20的技术参数

 发布时间：2021-07-29
产品型号:NTB30N20源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~175描述:30A,200V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):￥17.90 ...<全部>
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