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NTB4302T4G的技术参数

 发布时间：2021-08-04
产品型号:NTB4302T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.300最大漏极电流Id(on)(A):74通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150描述:74 A, 30 V功率MOSFET价格/1片(套):￥6.40 ...<全部>
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