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NTB60N06的技术参数

 发布时间：2021-07-28
产品型号:NTB60N06源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14最大漏极电流Id(on)(A):60通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~150描述:60A,60V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):￥9.99 ...<全部>
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