研发资源 > 标签 > NTB60N06
|相关技术

NTB60N06的技术参数

 发布时间：2021-07-28
产品型号:NTB60N06源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14最大漏极电流Id(on)(A):60通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~150描述:60A,60V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):￥9.99 ...<全部>
  • 41
上一个 下一个
|最新活动
国内能否凭封装内多芯粒堆叠打赢先进工艺制程？

国内能否凭封装内多芯粒堆叠打赢先进工艺制程？
|相关标签
|热门文章
NTB60N06的技术参数

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.