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NTD20N06L的技术参数

 发布时间：2021-08-05
产品型号:NTD20N06L源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):39最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~175描述:20A,60V功率MOSFET价格/1片(套):￥4.37 ...<全部>
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