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NTD23N03R的技术参数

 发布时间：2021-07-28
产品型号:NTD23N03R源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):32最大漏极电流Id(on)(A):23通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~150描述:23A,25V功率MOSFET价格/1片(套):￥2.76 ...<全部>
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