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NTD4808NT4G的技术参数

 发布时间：2021-07-27
产品型号:NTD4808NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8最大漏极电流Id(on)(A):63通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~175描述:63A,30V功率MOSFET价格/1片(套):￥4.20 ...<全部>
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