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NTD4809NT4G的技术参数

 发布时间：2021-07-27
产品型号:NTD4809NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9最大漏极电流Id(on)(A):58通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175描述:30V,58A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无 ...<全部>
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