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NTD60N02RT4G的技术参数

 发布时间：2021-07-27
产品型号:NTD60N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10.500最大漏极电流Id(on)(A):62通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:62A, 25V功率MOSFET价格/1片(套):￥3.10 ...<全部>
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