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NTD80N02的技术参数

 发布时间：2021-07-27
产品型号:NTD80N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):80通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~150描述:80A,24V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):￥5.42 ...<全部>
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