研发资源 > 标签 > NTD85N02RT4G
|相关技术

NTD85N02RT4G的技术参数

 发布时间：2021-07-27
产品型号:NTD85N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.200最大漏极电流Id(on)(A):85通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:85 A, 24 V,功率MOSFET价格/1片(套):￥4.80 ...<全部>
  • 166
上一个 下一个
|最新活动
都2025年了，新品发布会怎么玩？

都2025年了，新品发布会怎么玩？
|相关标签
|热门文章
NTD85N02RT4G的技术参数

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.