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NTF6P02T3的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTF6P02T3源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):44最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-223/-55~150描述:-2.3A,-20V功率MOSFET和肖特基二极管价格/1片(套):￥3.60 ...<全部>
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