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NTGD1100LT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTGD1100LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):55最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):TSOP6/-55~150描述:8V.3.3A P沟道MOSFET价格/1片(套):￥2.00 ...<全部>
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