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NTGS3441PT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTGS3441PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):110最大漏极电流Id(on)(A):3.160通道极性:P封装/温度(℃):TSOP-6/-55~150描述:20V,3.16A,P沟道MOSFET价格/1片(套):暂无 ...<全部>
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