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NTHS2101PT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTHS2101PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):25最大漏极电流Id(on)(A):7.500通道极性:P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-8 V, -7.5 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2.80 ...<全部>
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