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NTHS4501NT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTHS4501NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):38最大漏极电流Id(on)(A):6.700通道极性:N沟道封装/温度(℃):ChipFET /-55~150描述:30 V, 6.7 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2.50 ...<全部>
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