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NTJD4152PT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTJD4152PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):215最大漏极电流Id(on)(A):0.880通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:小信号20 V, 0.88 A双P沟道 MOSFET价格/1片(套): ...<全部>
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