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NTJS3157NT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-26
产品型号:NTJS3157NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N封装/温度(℃):SC88-6/-55~150描述:20V,4A,N沟道Trench MOSFET价格/1片(套):暂无 ...<全部>
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