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NTMD6N02R2G的技术参数

 发布时间：2021-07-23
产品型号:NTMD6N02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):35最大漏极电流Id(on)(A):6.500通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150描述:6.0 A, 20v功率MOSFET价格/1片(套):￥3.80 ...<全部>
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