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NTMD6P02R2G的技术参数

 发布时间：2021-07-23
产品型号:NTMD6P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):33最大漏极电流Id(on)(A):-7.800通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOIC8/-55~155描述:-20 V, -7.8 A功率MOSFET价格/1片(套):￥5.20 ...<全部>
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