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NTS4101PT1G的技术参数

 发布时间：2021-07-22
产品型号:NTS4101PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):120最大漏极电流Id(on)(A):1.370通道极性:P沟道封装/温度(℃):SC-70 /-55 ~150描述:-20 V, -1.37 A,双功率MOSFET价格/1片(套):￥1.30 ...<全部>
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