QA01C-EDA365

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SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源

发布时间：2020-05-14

一. 引言以Si为衬底的Mosfet管因为其输入阻抗高.驱动功率小.驱动电路简单.具有靠多数载流子工作导电特性.没有少数载流子导电工作所需要的存储时间.因而开关速度快.工作频率可到500kHz.甚至MHz以上.但是 ...<全部>

可编程逻辑

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SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源分析

发布时间：2024-12-23

本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响.并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点.推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动 ...<全部>

电源硬件技术

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一颗引发行业变革的红外芯片

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