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STx7N95K3:ST推出全新系列功率MOSFET晶体管

 发布时间：2024-11-23
产品特性:950V的击穿电压级别可以使用一个单一950V MOSFET取代双晶体管电路能够承受高于击穿电压的电涌额定雪崩电流为9A导通电阻RDS(ON)被降至1.35欧姆以下应用范围:液晶显示器电视机节能灯镇流器等产品日前.意法 ...<全部>
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