导通电阻-EDA365

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ST车用大电流功率场效应晶体管导通电阻

发布时间：2020-09-17

意法半导体日前针对汽车市场推出新的大电流功率场效应MOS晶体管.该产品采用ST最新优化的STripFET专利技术.实现了最低的导通电阻. 据介绍.STD95N04是一个40V标准电平的DPAK产品.最大导通电阻RDS(on)6.5mΩ ...<全部>

接口

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Intersil 的模拟开关提供了超低的导通电阻

发布时间：2020-09-09

Intersil 的模拟开关提供了超低的导通电阻.并且板空间比先前的封装小 72%ISL54050 和 ISL54056 均采用节省空间的 μTQFN 封装.典型导通电阻分别为 0.27 Ohms和 0.45 Ohms.从而能够为手持式应用中的手机接收器实现 ...<全部>

接口

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利用保证的 SOA 在高电流热插拔应用中实现低导通电阻

发布时间：2020-07-07

引言在高电流背板应用中要求实现电路板的带电插拔.这就需要兼具低导通电阻 (在稳态操作期间) 和针对瞬态情况之高安全工作区 (SOA) 的 MOSFET.通常.专为拥有低导通电阻而优化的新式 MOSFET 并不适合高 SOA 热插拔 ...<全部>

模拟电路设计

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大功率VDMOS(200 V)的设计研究

发布时间：2020-06-29

摘要:介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法.对设计参数进行了理论分析.并使用仿真工具时设计参数进行了验证和优化.设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标.通过器件和工艺的仿真.确定了该器件合理的参数 ...<全部>

分离器件设计

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高压功率VDMOSFET的设计与研制

发布时间：2020-06-29

随着现代工艺水平的提高与新技术的开发完善.功率VDMOSFET设计研制朝着高压.高频.大电流方向发展.成为目前新型电力电子器件研究的重点. 本文设计了漏源击穿电压为500 V.通态电流为8 A.导通电阻小于O．85 Ω ...<全部>

分离器件设计

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65

如何最大化减少电源损耗实现电源效率

发布时间：2020-06-13

我们建议使用如下输出电流函数来计算电源损耗: 下一步是利用上述简单表达式.并将其放入效率方程式中: 这样.输出电流的效率就得到了优化(具体论证工作留给学生去完成).这种优化可产生一个有趣的结果.当输 ...<全部>

技术百科

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电源开关设计基础知识

发布时间：2020-06-09

电源开关的使用较为复杂.甚至让大多数电子产品设计人员都感到困惑.特别是对那些非电源管理专家而言.在各种各样的应用中.例如:便携式电子产品.消费类电子产品.工业或电信系统等.广大设计人员正越来越多地使用 ...<全部>

电源硬件技术

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Vishay发布业内导通电阻最低的超小尺寸20V芯片级MOSFET

发布时间：2020-05-21

MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON).外形尺寸为1mm2或小于0.7mm2.开启电压低至1.2V 宾夕法尼亚.MALVERN - 2015 年 6 月19 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.发 ...<全部>

分离器件设计

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导通电阻比竞争对手低20%的40V N沟道MOSFET

发布时间：2024-11-03

飞兆半导体的40V PowerTrench MOSFET,在动力转向应用中的功率控制更强.效率更高.该器件具有最低的导通电阻和较低的栅极电荷.可降低功耗.因此非常适合电动助力转向.悬架控制和传动系管理等应用.汽车动力 ...<全部>

电源硬件技术

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可取代效能较低器件同时节省数量的功率MOSFET系列

发布时间：2024-11-03

IR 推出StrongIRFET功率MOSFET系列.适合要求超低导通电阻的工业应用.新器件除了具备超低的导通电阻.其高电流额定值更有助于提升系统的可靠性.若用其取代效能较低的器件.更可节省器件数量.全球功率半导 ...<全部>

电源硬件技术

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