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导通电阻
导通电阻
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引言在高电流背板应用中要求实现电路板的带电插拔.这就需要兼具低导通电阻 (在稳态操作期间) 和针对瞬态情况之高安全工作区 (SOA) 的 MOSFET.通常.专为拥有低导通电阻而优化的新式 MOSFET 并不适合高 SOA 热插拔 ...
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摘要:介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法.对设计参数进行了理论分析.并使用仿真工具时设计参数进行了验证和优化.设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标.通过器件和工艺的仿真.确定了该器件合理的参数 ...
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随着现代工艺水平的提高与新技术的开发完善.功率VDMOSFET设计研制朝着高压.高频.大电流方向发展.成为目前新型电力电子器件研究的重点. 本文设计了漏源击穿电压为500 V.通态电流为8 A.导通电阻小于O.85 Ω ...
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电源开关的使用较为复杂.甚至让大多数电子产品设计人员都感到困惑.特别是对那些非电源管理专家而言.在各种各样的应用中.例如:便携式电子产品.消费类电子产品.工业或电信系统等.广大设计人员正越来越多地使用 ...
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