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SiR870DP/Si4190DY:Vishay推出100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET

 发布时间：2024-11-05
SiR870DP和Si4190DY的产品特性:采用新型ThunderFET®技术SO-8/PowerPAK® SO-8封装在4.5V下具有业内最低导通电阻SiR870DP和Si4190DY的应用范围:电源日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出两款新的100V N沟道 ...<全部>
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