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门极驱动器方案–––即插即用快速评估和测试

发布时间：2021-12-03

电力电子在当今世界无处不在:半导体的隐藏功能.可实现广泛应用.从家电和消费品到数据处理和无线网络.再到日趋电子化的汽车.电力电子系统以极高能效在交流和直流形式之间以及直流电压之间转换电力.从而 ...<全部>

电源硬件技术

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IR新型-30VP沟道功率MOSFET使设计更简单灵活

发布时间：2021-03-11

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出新系列-30 V器件.采用 IR最新的SO-8封装 P ...<全部>

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功率MOSFET
RoHS

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IR 新型-30V P 沟道功率MOSFET 使设计更简单灵活

发布时间：2021-02-09

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IR
功率MOSFET

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Vishay Siliconix推出0.6mm超低外形MOSFET

发布时间：2020-12-10

日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK® SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA429DJT.在2mm x 2mm ...<全部>

接口

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Vishay
功率MOSFET

123

如何在实际应用中选择正确类型的功率MOSFET

发布时间：2020-09-08

使用功率MOSFET也有两年多时间了.这方面的技术文章看了不少.但实际应用选型方面的文章不是很多.在此.根据学到的理论知识和实际经验.和广大同行一起分享.探讨交流下功率MOSFET的选型.由于相应理论技术文章有很 ...<全部>

ESD

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基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

发布时间：2020-07-02

1引言随着电力电子技术的发展.各种新型的驱动芯片层出不穷.为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路.外围电路大大减少.使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁..性能也获得到了很大地提高.其中UCC27321就是一种外 ...<全部>

模拟电路设计

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IR 推出适用于汽车的 DirectFET2 功率MOSFET

发布时间：2020-06-29

国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET.这两款产品以坚固可靠.符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度.双 ...<全部>

分离器件设计

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双芯片P沟道功率TrenchFET®功率MOSFET[Vishay]

发布时间：2020-06-29

宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 3 月 2 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ.新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增 ...<全部>

分离器件设计

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功率MOSFET雪崩击穿问题分析

发布时间：2020-06-29

摘要:分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因.以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系.和传统的双极性晶体管相比.反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在[热点"的作用.而电气量变化却十分复杂.寄生器件在MOSFET的雪崩 ...<全部>

分离器件设计

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Siliconix的新款N沟道功率MOSFET[Vishay]

发布时间：2020-06-29

宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 3 月 31 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc. 宣布.发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP.两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装.具有业内最低 ...<全部>

分离器件设计

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