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双芯片P沟道功率TrenchFET®功率MOSFET[Vishay]

发布时间：2020-06-29

宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 3 月 2 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ.新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增 ...<全部>

分离器件设计

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Vishay推出第三代TrenchFET®功率MOSFET

发布时间：2024-05-03

日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ.新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装.具有8V栅源电压 ...<全部>

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一期总投资5亿，出场即“巅峰”，这家EDA公司凭什么立足？

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