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功率MOSFET雪崩击穿问题分析

 发布时间：2020-06-29
摘要:分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因.以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系.和传统的双极性晶体管相比.反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在[热点"的作用.而电气量变化却十分复杂.寄生器件在MOSFET的雪崩 ...<全部>
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