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SiC共源共栅器件可作为IGBT和Si-MOSFET的直接替代方案

 发布时间：2020-07-01
宽带隙器件能够在新设计中提供最佳性能我们都已经知道SiC和GaN等宽带隙(WBG)开关所能够提供的性能优势.这些器件将会彻底变革当前所有应用中功率转换的功率密度和效率.其中包括智能能源管理和电动汽车等领域.但 ...<全部>
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