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4.5V下1.35mΩ Vishay新一代TrenchFET MOSFET导通电阻创纪录

 发布时间：2024-12-23
产品特性:新一代TrenchFET Gen IV系列MOSFET在4.5V下导通电阻为1.35mΩ实现了非常高密度的设计.而没有明显增加栅极电荷Qgd/Qgs比值仅有0.5或更低应用市场:高功率密度DC/DC转换器.同步整流.同步降压转换器和OR-in ...<全部>
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