研发资源 > 标签 > 二维数值
|相关技术

功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟

 发布时间：2020-06-29
1 引言 功率VDMOSFET晶体管以其开关速度快.输入电阻高.频率特性好.驱动能力高.跨导线性度高等特点.广泛应用在空间系统的电源电路中.但它在空间辐射环境中极易被重离子诱发SEB.造成功率变换器或电源电压的 ...<全部>
  • 66
上一个 下一个
|最新活动
第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场
|相关标签
|热门文章
功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.