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功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟

 发布时间：2020-06-29
1 引言 功率VDMOSFET晶体管以其开关速度快.输入电阻高.频率特性好.驱动能力高.跨导线性度高等特点.广泛应用在空间系统的电源电路中.但它在空间辐射环境中极易被重离子诱发SEB.造成功率变换器或电源电压的 ...<全部>
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