光刻系统-EDA365

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EUV单次曝光能力提升至24nm节距

发布时间：2021-07-27

本周在SPIE高级光刻会议上,世界领先的纳米电子和数字技术研究与创新中心IEMC与世界领先的半导体光刻设备制造商ASML宣布了一项合作成果.在印刷24nm节距线方面取得突破,该节距对应于3nm节点中关键后段金属层节距 ...<全部>

集成电路设计

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3nm不是极限.半导体元件可缩到光波长的四十分之一

发布时间：2020-05-29

作为浸润式光刻方法的开创者.中国台湾新竹清华大学.新竹交通大学.台湾大学特聘讲座教授.以及清大-台积电联合研发中心主任.2018年未来科学大奖-数学与计算机科学奖获奖者.林本坚博士于近日作客北京清华大学.向 ...<全部>

半导体生产

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