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用ADS实现一个2.38 GHz全集成化低噪声放大器

 发布时间：2020-07-09
1 引 言目前.在高达数GHz的RF频段范围内.广泛使用的是GaAs MESFET LNAs.其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时.使噪声系数低至大约1 dB.但随着CMOS电路技术的成熟.近来对RFCMOS电路元件的研究成果越来越多. ...<全部>
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 发布时间：2020-07-02
1 引 言目前.在高达数GHz的RF频段范围内.广泛使用的是GaAs MESFET LNAs.其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时.使噪声系数低至大约1 dB.但随着CMOS电路技术的成熟.近来对RFCMOS电路元件的研究成果越来越多. ...<全部>
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