研发资源 > 标签 > 全集成化放大器
|相关技术

用ADS实现一个2.38 GHz全集成化低噪声放大器

 发布时间：2020-07-09
1 引 言目前.在高达数GHz的RF频段范围内.广泛使用的是GaAs MESFET LNAs.其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时.使噪声系数低至大约1 dB.但随着CMOS电路技术的成熟.近来对RFCMOS电路元件的研究成果越来越多. ...<全部>
  • 183

用ADS实现一个2.38 GHz全集成化低噪声放大器

 发布时间：2020-07-02
1 引 言目前.在高达数GHz的RF频段范围内.广泛使用的是GaAs MESFET LNAs.其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时.使噪声系数低至大约1 dB.但随着CMOS电路技术的成熟.近来对RFCMOS电路元件的研究成果越来越多. ...<全部>
  • 185
上一个 下一个
|最新活动
一颗引发行业变革的红外芯片

一颗引发行业变革的红外芯片
|相关标签
|热门文章
用ADS实现一个2.38 GHz全集成化低噪声放大器

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.