击穿特性-EDA365

研发资源 > 标签 > 击穿特性

|相关技术

PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究

发布时间：2022-03-28

陈蒲生1.刘剑2.张昊3.冯文修1(1.华南大学应用物理系.广东广州 510640,2．广东省邮电科学研究院.广东广州 510665;3.中国电子科技集团公司第五研究所.广东广州 510610)摘要:对等离子体增强化学汽相淀积(pec ...<全部>

技术百科

|

141

pn结的特性,PN结的击穿特性,PN结的电容特性

发布时间：2020-06-29

当反向电压增大到一定值时.PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增加.这种现象称为PN结的击穿.反向电流急剧增加时所对应的电压称为反向击穿电压.如上图所示. PN结的反向击穿有雪崩击穿和齐纳击穿两种.1. ...<全部>

模拟电路设计

|

143

pn结的特性,PN结的击穿特性,PN结的电容特性

发布时间：2020-06-15

当反向电压增大到一定值时.PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增加.这种现象称为PN结的击穿.反向电流急剧增加时所对应的电压称为反向击穿电压.如上图所示. PN结的反向击穿有雪崩击穿和齐纳击穿两种. 1. ...<全部>

技术百科

|

52

上一个下一个

支持PCIe 6.0！国产时钟芯片的创新发展史

支持PCIe 6.0！国产时钟芯片的创新发展史

|相关标签

|热门文章

pn结的特性,PN结的击穿特性,PN结的电容特性

PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究

pn结的特性,PN结的击穿特性,PN结的电容特性